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型号  文件下载  极性  VCEO
(V)
 
IC
(mA)
 
Min
(V)
 
Max
(V)
 
等效产品  封装形式 
CJ5853DC P-ch MOS
Di
-20
20
-2700
1000
- - CJ2301
MBR0520
CJ5853DCB P-ch MOS
Diode
-20
20
-2700
500
CJ5853DDC P-ch MOS
Diode
-20
20
-2700
1000
CJ2301
MBR0520
MISWB3×2-8L(P0.65T0.75)
CJ7203KDW* N-ch MOS
Diode
60
40
340
350
- - SOT-363
CJHD3101F P-ch MOS
Di
-20
20
-3200
2200
- - - DFN3×2-8L-B
CJHD4P02F* P-ch MOS
Diode
-20
20
-2100
2200
- - - DFN3×2-8L-B
CJLJF3117P P-ch MOS
Diode
-20
30
-3300
2000
CJ2301
RB551V-30
DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85)
CJLJF3117PB P-ch MOS 
Diode
-20
20
-3.3
0.5
DFNWB2×2-6L-U(P0.65/0.75/0.85)
CJMP06 P-ch MOS
Diode
-20
20
-2000
1000
DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85)
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